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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：11.8nC@10V
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：11.8nC@10V
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：21.1nC@10V
输入电容：948pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：11.8nC@10V
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
