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    品牌: DIODES
    连续漏极电流: 17.5A€40A
    当前匹配商品:10+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFG-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFG-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5404pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订8000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订8000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    栅极电荷:200nC@10V

    输入电容:7500pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:2.3W€41W

    连续漏极电流:17.5A€40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFG-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFG-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:5404pF@10V

    栅极电荷:140nC@10V

    功率:2.3W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    导通电阻:5.2mΩ@15A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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