品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3306A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:35pF@18V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H11DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.8pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H11DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.8pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.8pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.8pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H11DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.8pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.8pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LP
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H11DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.8pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN313DLT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36.3pF@5V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN24H11DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.8pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@300mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:87pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:P沟道
导通电阻:4.2Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LP
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS170P
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: