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    品牌: DIODES
    连续漏极电流: 270mA
    当前匹配商品:200+
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    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306A 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3306A 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3306A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:35pF@18V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订48个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订48个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订59个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订59个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订57个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订57个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订67个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订67个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订40个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订40个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LP 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS170P 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS170P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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