品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:318pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:318pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:318pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3150L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@5V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:318pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:318pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3150L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@5V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3150L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@5V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:318pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:318pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3150L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@5V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3150L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@5V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:318pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: