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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：3.8A
阈值电压：1.4V@250μA
功率：1.4W
输入电容：305pF@5V
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：3.8A
阈值电压：1.4V@250μA
功率：1.4W
输入电容：305pF@5V
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
