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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：700mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：700mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5.9A，4.5V
漏源电压：20V
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栅极电荷：6.7nC@4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：5.9A
阈值电压：1.4V@250µA
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2050L-7
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：6.7nC@4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：5.9A
阈值电压：1.4V@250µA
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漏源电压：20V
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功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：532pF@10V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
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