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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
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功率：800mW
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ECCN：EAR99
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功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
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连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
功率：800mW
类型：1个N沟道
输入电容：266pF@50V
阈值电压：3V@250μA
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导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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