品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:76pF@15V
连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
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功率:460mW
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类型:P沟道
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功率:460mW
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ECCN:EAR99
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功率:460mW
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
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功率:460mW
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行业应用:工业,汽车
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功率:460mW
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
连续漏极电流:540mA
包装方式:卷带(TR)
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
连续漏极电流:540mA
包装方式:卷带(TR)
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工作温度:-55℃~150℃
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类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
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连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:540mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1.1V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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类型:P沟道
导通电阻:1Ω@400mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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