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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
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功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
漏源电压：60V
栅极电荷：17.2nC@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
输入电容：969pF@30V
ECCN：EAR99
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
漏源电压：60V
栅极电荷：17.2nC@10V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
输入电容：969pF@30V
ECCN：EAR99
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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