品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
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功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
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功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
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连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
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连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
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阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
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连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
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漏源电压:100V
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