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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
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功率：1.25W
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栅极电荷：33.5nC@10V
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输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
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栅极电荷：33.5nC@10V
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连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
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功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
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输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMN3016LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.18W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
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功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
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输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.25W
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功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
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输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
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导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
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功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
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连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
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输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.25W
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栅极电荷：33.5nC@10V
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输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
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输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.18W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.18W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
栅极电荷：33.5nC@10V
输入电容：1925pF@30V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：10.8A
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
栅极电荷：33.5nC@10V
输入电容：1925pF@30V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：10.8A
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LPS-13
输入电容：1415pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：25.1nC@10V
功率：1.18W
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：12mΩ@20A，10V
连续漏极电流：10.8A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.18W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.18W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.18W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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