品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3066LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3066LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3066LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3066LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: