品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:48.3nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:48.3nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.3nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:48.3nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:48.3nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:48.3nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.3nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: