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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
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功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
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功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：1个N沟道
导通电阻：25Ω@10V，100mA
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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功率：330mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
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类型：1个N沟道
导通电阻：25Ω@10V，100mA
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阈值电压：3V@1mA
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输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
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类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
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输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
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输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
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功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：330mW
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输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
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功率：330mW
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类型：N沟道
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功率：330mW
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输入电容：45pF@25V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：330mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：45pF@25V
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类型：N沟道
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销售单位：个
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功率：330mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：45pF@25V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：45pF@25V
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类型：N沟道
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漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZVN3320FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：60mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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