品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002TQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:13.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002TQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:13.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LTQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:550pC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-01-F
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LTQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:550pC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LTQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:240mW
阈值电压:1.5V@100μA
栅极电荷:550pC@10V
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002TQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:13.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: