品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
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漏源电压:60V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
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类型:N沟道
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漏源电压:60V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
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类型:N沟道
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漏源电压:20V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
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导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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漏源电压:60V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@4.5V
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类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
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输入电容:1580pF@30V
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导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12.6nC@10V
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连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
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输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
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连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
连续漏极电流:3.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: