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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B14FTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：568pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.5V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UW-13
栅极电荷：3.6nC@4.5V
功率：470mW
输入电容：369pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.9A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
