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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
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功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
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功率：1.5W
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连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
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连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
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功率：1.5W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
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功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
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功率：1.5W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：9.7A
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导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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连续漏极电流：9.7A
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导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
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规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
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功率：1.68W
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输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：9.7A
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导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
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连续漏极电流：9.7A
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导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
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连续漏极电流：9.7A
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导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
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输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
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功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
栅极电荷：18.85nC@10V
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输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
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栅极电荷：18.85nC@10V
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输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
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功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
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功率：1.68W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：18.85nC@10V
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连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
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功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
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栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
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输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.5W
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栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
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导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
连续漏极电流：9.7A
栅极电荷：34nC@10V
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工作温度：-55℃~150℃
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