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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：869pF@30V
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类型：2N沟道（双）
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：8.8A
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功率：1.7W
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连续漏极电流：8.8A
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导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
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导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：8.8A
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输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
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规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
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导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6018LDR-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
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导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
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