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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1245UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：613mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：26.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357.4pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@20V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1245UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：613mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：26.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357.4pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1245UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：613mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：26.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357.4pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1245UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：613mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：26.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357.4pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@20V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@20V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1245UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：613mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357.4pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@20V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3026LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：643pF@15V
连续漏极电流：6.6A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1245UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：613mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357.4pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1245UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：613mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：26.1nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357.4pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@20V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@20V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@20V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
