采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：1.41A
功率：500mW
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：106pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：1.41A
功率：500mW
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：106pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1150UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：106pF@10V
连续漏极电流：1.41A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
