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    品牌: DIODES
    连续漏极电流: 60A
    当前匹配商品:90+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFV-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFV-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6018LPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6018LPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6018LPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€113W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2002UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12826pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2002UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12826pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2002UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12826pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2002UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12826pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2002UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12826pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2002UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12826pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:42nC@10V

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    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2002UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12826pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

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    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

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    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2002UPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2002UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12826pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFV-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFV-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH10H028SCT 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH10H028SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1942pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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