采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
