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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138P，215-ES
功率：417mW
阈值电压：1V
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138P，215-ES
功率：417mW
阈值电压：1V
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138P，215-ES
功率：417mW
阈值电压：1V
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
