品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:440mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:440mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:440mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:440mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:400pC@4.5V
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:60V
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:28.5pF@30V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:400pC@4.5V
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:60V
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: