采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN3730UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730UFB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
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连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
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连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
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功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3730U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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