品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
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功率:470mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
输入电容:64.3pF@25V
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类型:1个N沟道
导通电阻:460mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:30V
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功率:470mW
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.6nC@4.5V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:750mA
输入电容:64.3pF@25V
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阈值电压:950mV@250μA
包装清单:商品主体 * 1
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