品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:100Ω@60mA,10V
连续漏极电流:80mA
输入电容:25pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.7nC@10V
功率:1.1W
漏源电压:600V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:100Ω@60mA,10V
连续漏极电流:80mA
输入电容:25pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.7nC@10V
功率:1.1W
漏源电压:600V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:100Ω@60mA,10V
连续漏极电流:80mA
输入电容:25pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.7nC@10V
功率:1.1W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:80mA
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@60mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN60H080DS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:100Ω@60mA,10V
连续漏极电流:80mA
输入电容:25pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.7nC@10V
功率:1.1W
漏源电压:600V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: