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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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输入电容：50.54pF@25V
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
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功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
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功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
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功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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功率：400mW
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ECCN：EAR99
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
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功率：400mW
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
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功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
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功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@100mA，4V
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导通电阻：6Ω@100mA，4V
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功率：400mW
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导通电阻：6Ω@100mA，4V
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规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
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功率：400mW
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输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
输入电容：25pF@10V
导通电阻：4Ω@100mA，4V
连续漏极电流：160mA
漏源电压：50V
类型：N沟道
功率：200mW
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ECCN：EAR99
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN55D0UTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
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功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@4V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
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