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    品牌: DIODES
    连续漏极电流: 8A
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

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    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订650个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订650个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFX-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFX-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:920mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFX-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFX-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:920mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926USD-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ESN6484 起订100个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 ESN6484 起订100个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ESN6484

    功率:2.7W

    阈值电压:1.85V@250μA

    栅极电荷:19.2nC

    输入电容:780pF

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:26pF

    导通电阻:85mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4800LSSL-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.46W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFX-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFX-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFX-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:920mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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