品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UFX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UFX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN6484
功率:2.7W
阈值电压:1.85V@250μA
栅极电荷:19.2nC
输入电容:780pF
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:26pF
导通电阻:85mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSL-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UFX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: