品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LDV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:2个N沟道
导通电阻:36mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
功率:3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC
输入电容:876pF
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF
导通电阻:7.5mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.4W
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
输入电容:1480pF@30V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
输入电容:1172pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
输入电容:1172pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
输入电容:1172pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
功率:3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC
输入电容:876pF
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF
导通电阻:7.5mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540NPBF-ES
功率:35W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:1.982nF@25V
连续漏极电流:18A
反向传输电容:76pF@25V
导通电阻:37mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
功率:3W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC
输入电容:876pF
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:140pF
导通电阻:7.5mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: