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    连续漏极电流
    18A
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    品牌: DIODES
    连续漏极电流: 18A
    当前匹配商品:40+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LDV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LDV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LDV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:36mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4430 起订47个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4430 起订47个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:11nC

    输入电容:876pF

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:140pF

    导通电阻:7.5mΩ@10V,12A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    输入电容:1480pF@30V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    输入电容:1172pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    输入电容:1172pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    输入电容:1172pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4430 起订100个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4430 起订100个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:11nC

    输入电容:876pF

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:140pF

    导通电阻:7.5mΩ@10V,12A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 IRF540NPBF-ES 起订30个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 IRF540NPBF-ES 起订30个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NPBF-ES

    功率:35W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    输入电容:1.982nF@25V

    连续漏极电流:18A

    反向传输电容:76pF@25V

    导通电阻:37mΩ@10V,10A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4430 起订36个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 AO4430 起订36个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:11nC

    输入电容:876pF

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:140pF

    导通电阻:7.5mΩ@10V,12A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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