品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
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功率:1.3W
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类型:N沟道
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类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
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栅极电荷:30nC@10V
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连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
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规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
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工作温度:-55℃~+150℃
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
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连续漏极电流:14A€80A
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导通电阻:8.5mΩ
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:14A€80A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
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类型:1个N沟道
栅极电荷:30nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:14A€80A
阈值电压:4V@250μA
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类型:1个N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
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漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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