品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2004K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2004K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
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分类:Mosfet场效应管
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功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
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功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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功率:350mW
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工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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ECCN:EAR99
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工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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类型:N沟道
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规格型号(MPN):DMN2004K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
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类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
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功率:350mW
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类型:N沟道
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功率:350mW
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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功率:350mW
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行业应用:工业,汽车
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功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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ECCN:EAR99
连续漏极电流:630mA
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN2004K-7
功率:350mW
输入电容:150pF@16V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1V@250µA
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类型:N沟道
工作温度:-65℃~150℃
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包装清单:商品主体 * 1
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