品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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阈值电压:900mV@250µA
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输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
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输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:1.33A
类型:2个N沟道
导通电阻:480mΩ@5V,200mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMN2400UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMN2400UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UV-7
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功率:530mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:1.33A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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