品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.04nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2个N沟道
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2N7002DWK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
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功率:330mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.04nC@10V
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输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2个N沟道
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
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功率:330mW
阈值电压:2V@250µA
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连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@200mA,10V
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功率:330mW
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连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@200mA,10V
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连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
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功率:330mW
阈值电压:2V@250µA
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输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@200mA,10V
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工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:330mW
导通电阻:3Ω@200mA,10V
ECCN:EAR99
输入电容:41pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMN62D4LDW-13
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功率:330mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.04nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2个N沟道
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
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