品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@50V
连续漏极电流:46.3A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@50V
连续漏极电流:46.3A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
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输入电容:1544pF@50V
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类型:N沟道
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漏源电压:100V
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功率:2W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:46.3A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
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类型:N沟道
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类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
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类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
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