采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：1.87A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
