品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMC2004VK-7
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功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2004VK-7
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:670mA€530mA
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@16V
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@16V
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@16V
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:150pF@16V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
阈值电压:1V@250μA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@16V
漏源电压:20V
连续漏极电流:670mA€530mA
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
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