品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:96.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:96.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
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输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€83W
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栅极电荷:38.5nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
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ECCN:EAR99
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMTH43M8LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€83W
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导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
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导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
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导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:96.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
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ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
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输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
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类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
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栅极电荷:49nC@10V
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输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:96.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:96.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:49nC@10V
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ECCN:EAR99
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: