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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
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功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
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输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
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功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
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输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
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规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
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功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
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输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.622nC@4.5V
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输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
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输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-13
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功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
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输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：310mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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