采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
功率：880mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1495pF@10V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）共漏
连续漏极电流：8.58A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
功率：880mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1495pF@10V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）共漏
连续漏极电流：8.58A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
