采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
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功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
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漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
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功率：510mW
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栅极电荷：800pC@8V
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输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
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输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
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功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
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功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
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功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
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输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
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功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
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输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
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输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
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输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
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输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
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功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
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输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
功率：510mW
连续漏极电流：580mA
栅极电荷：800pC@8V
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
功率：510mW
连续漏极电流：580mA
栅极电荷：800pC@8V
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：430mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D6UFB4-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：800pC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：580mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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