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    品牌: DIODES
    连续漏极电流: 11A€34A
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订1000个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

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    栅极电荷:33.5nC@10V

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    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

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    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.5nC@10V

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    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订1000个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

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    栅极电荷:33.5nC@10V

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    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

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    栅极电荷:33.5nC@10V

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    连续漏极电流:11A€34A

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订1000个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€19.2W

    阈值电压:2V@250µA

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    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:11A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

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    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

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    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订2个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

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    功率:2.08W€19.2W

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    ECCN:EAR99

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订4个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

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    功率:2.08W€19.2W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

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    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订5000个装
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