采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
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功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：DMT4008LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V
栅极电荷：17.1nC
连续漏极电流：11.8A
类型：MOSFET
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：40V
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