采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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