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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
连续漏极电流：14A€80A
输入电容：2085pF@50V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009SPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：1.3W
连续漏极电流：14A€80A
输入电容：2085pF@50V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LPS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：40.2nC@10V
输入电容：2.309nF@50V
连续漏极电流：90A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LPS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：40.2nC@10V
输入电容：2.309nF@50V
连续漏极电流：90A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H009LPS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：40.2nC@10V
输入电容：2.309nF@50V
连续漏极电流：90A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：11.9nC@10V
输入电容：683pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H032LFVW-7
连续漏极电流：17A
阈值电压：2.5V@250μA
导通电阻：32mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：11.9nC@10V
类型：1个N沟道
输入电容：683pF@50V
漏源电压：100V
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
