品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5Ω@10V,500mA
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:9.2nC@10V
输入电容:497pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@10V,1.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
类型:1个N沟道
栅极电荷:6.7nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:225mΩ@2A,10V
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B03E6TA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.16nF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5V,4.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
输入电容:1.16nF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5V,4.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
输入电容:1.16nF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5V,4.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
输入电容:1.16nF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5V,4.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10V,500mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:225mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: