品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@5V,50mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@5V,50mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06KQ-7
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:41pF@3V
功率:400mW
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
漏源电压:20V
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
阈值电压:900mV@100μA
工作温度:-65℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
导通电阻:2Ω@5V,50mA
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:50V
工作温度:-65℃~+150℃
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: