品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:16.8A€70A
功率:2.6W
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13
输入电容:1926pF@30V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:35.2nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:12mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:990mW
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:9.4A
功率:1.06W
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
输入电容:584pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.9W
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:8.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:24A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130.8nC@10V
导通电阻:2mΩ@50A,10V
功率:167W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
输入电容:6555pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
类型:N沟道
输入电容:1477pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
导通电阻:22mΩ@20A,10V
连续漏极电流:51.7A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:15.5A€100A
类型:N沟道
功率:2.7W€150W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010LPSWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€75W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8mΩ@20A,10V
栅极电荷:41.3nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2090pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13
输入电容:1926pF@30V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:35.2nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:12mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:990mW
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
输入电容:1949pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:17mΩ@12A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:53.7A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:11.2nC@10V
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
输入电容:584pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:50mΩ@6A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:8.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:25A
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFW-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:9.4A
功率:1.06W
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
输入电容:2051pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:16mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:46.8nC@10V
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:16mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
功率:2.6W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFW-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:9.4A
功率:1.06W
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:9.4A
功率:1.06W
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LPSQ-13
功率:3.2W€150W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:20.6A€100A
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
输入电容:1949pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:17mΩ@12A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:53.7A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13
功率:2.1W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2962pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:9.4A
功率:1.06W
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
输入电容:1949pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:17mΩ@12A,10V
连续漏极电流:53.7A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
输入电容:1949pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:17mΩ@12A,10V
连续漏极电流:53.7A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
输入电容:584pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.9W
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:8.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:24A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: