品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
功率:3W
输入电容:2592pF@50V
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:228pF@50V
功率:1.8W
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
栅极电荷:4.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
连续漏极电流:14.4A
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N-Channel
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:315pF@40V
阈值电压:3V@250µA
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFG-13
连续漏极电流:2.9A€8.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:940mW
导通电阻:122mΩ@3.3A,10V
栅极电荷:14.9nC@10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
输入电容:870.7pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6075S-7
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:606pF@20V
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.2A,10V
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:950mW
连续漏极电流:3.8A
导通电阻:47mΩ@3.2A,10V
输入电容:318pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LPS-13
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:16A€65A
导通电阻:6mΩ@20A,10V
输入电容:1320pF@15V
功率:1.3W€42W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068SE-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:10.3nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:4.1A
输入电容:502pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
导通电阻:68mΩ@12A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LPS-13
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:16A€65A
导通电阻:6mΩ@20A,10V
输入电容:1320pF@15V
功率:1.3W€42W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N-Channel
输入电容:166pF@40V
漏源电压:60V
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
功率:625mW
栅极电荷:3.2nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
功率:1.2W
输入电容:1167pF@25V
导通电阻:160mΩ@5A,10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-13
功率:720mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
连续漏极电流:4.6A
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:574pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
连续漏极电流:14.4A
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LFDF-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.9A
功率:820mW
导通电阻:16mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN15H310SE-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:405pF@25V
类型:N-Channel
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
导通电阻:310mΩ@1.5A,10V
栅极电荷:8.7nC@10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LDK-7
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:6.5mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1320pF@15V
功率:1.1W
连续漏极电流:17.1A€46.2A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4040SK3-13
栅极电荷:18.6nC@10V
导通电阻:30mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
功率:1.71W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN15H310SE-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:405pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:2A€7.1A
导通电阻:310mΩ@1.5A,10V
栅极电荷:8.7nC@10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
功率:42W
输入电容:1287pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4004LPS-13
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:82.2nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:26A€90A
功率:2.6W€138W
输入电容:4508pF@20V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
功率:2.4W
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004LPS-13
包装方式:卷带(TR)
类型:N-Channel
漏源电压:60V
连续漏极电流:22A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09GTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
漏源电压:60V
输入电容:1407pF@40V
栅极电荷:24.2nC@5V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
功率:2W
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SFCL-7
功率:600mW
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:606pF@20V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
导通电阻:85mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
连续漏极电流:5.4A
功率:1.56W
栅极电荷:10nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LDK-7
栅极电荷:22.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:6.5mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1320pF@15V
功率:1.1W
连续漏极电流:17.1A€46.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存: