首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    类型
    阈值电压
    工作温度
    行业应用
    品牌: DIODES
    类型: N沟道
    阈值电压: 3V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:1700+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:68.8A

    类型:N沟道

    功率:3W

    输入电容:2592pF@50V

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:228pF@50V

    功率:1.8W

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4008LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3537pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:74nC@10V

    连续漏极电流:14.4A

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.6nC@10V

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:2.3A

    输入电容:315pF@40V

    阈值电压:3V@250µA

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFG-13

    连续漏极电流:2.9A€8.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:940mW

    导通电阻:122mΩ@3.3A,10V

    栅极电荷:14.9nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    输入电容:870.7pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:606pF@20V

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:950mW

    连续漏极电流:3.8A

    导通电阻:47mΩ@3.2A,10V

    输入电容:318pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LPS-13

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:16A€65A

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.3W€42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SE-13

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:10.3nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:4.1A

    输入电容:502pF@30V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    功率:2W

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LPS-13

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:16A€65A

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.3W€42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    输入电容:166pF@40V

    漏源电压:60V

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    功率:625mW

    栅极电荷:3.2nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    输入电容:1167pF@25V

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-13

    功率:720mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    连续漏极电流:4.6A

    栅极电荷:12.5nC@10V

    输入电容:574pF@20V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVT-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    漏源电压:60V

    栅极电荷:22.4nC@10V

    输入电容:1287pF@25V

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4008LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4008LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3537pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:74nC@10V

    连续漏极电流:14.4A

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LFDF-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LFDF-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6016LFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:8.9A

    功率:820mW

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN15H310SE-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:405pF@25V

    类型:N-Channel

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:150V

    导通电阻:310mΩ@1.5A,10V

    栅极电荷:8.7nC@10V

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    漏源电压:60V

    栅极电荷:22.4nC@10V

    输入电容:1287pF@25V

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.1W

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4040SK3-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4040SK3-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4040SK3-13

    栅极电荷:18.6nC@10V

    导通电阻:30mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6A

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:945pF@20V

    功率:1.71W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN15H310SE-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN15H310SE-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:405pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:2A€7.1A

    导通电阻:310mΩ@1.5A,10V

    栅极电荷:8.7nC@10V

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SK3-13

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:22.4nC@10V

    功率:42W

    输入电容:1287pF@25V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4004LPS-13

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    栅极电荷:82.2nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:26A€90A

    功率:2.6W€138W

    输入电容:4508pF@20V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6069SFGQ-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6069SFGQ-13

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    功率:2.4W

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004LPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:22A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    输入电容:1407pF@40V

    栅极电荷:24.2nC@5V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:40mΩ@8.2A,10V

    功率:2W

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SFCL-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6070SFCL-7

    功率:600mW

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:606pF@20V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:85mΩ@1.5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4034SSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4034SSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4034SSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    连续漏极电流:5.4A

    功率:1.56W

    栅极电荷:10nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1320pF@15V

    功率:1.1W

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:22.4nC@10V

    输入电容:1287pF@25V

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:5.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧